「次世代パワー半導体SiCの未来とその革新的加工技術」平成24年度第5回AMICセミナー開催報告

(1)開会挨拶

(13:00～13:05)

・(公財)三重県産業支援センター　副理事長　高橋　陽一

(2)講演：次世代パワー半導体SiCの未来とその革新的加工技術

(13:05～14:15)

・大阪大学　大学院工学研究科　教授　山内　和人　氏

【概要】次世代パワーデバイスに使用される半導体基板SiC(炭化ケイ素)が国際的に大変注目されています。このSiCに関して、最新の技術動向、国内外の動向、SiC基板加工技術とその装置など、幅広い情報についてご講演いただきました。

(3)技術紹介：CARE法による次世代大口径SiC基板用研磨パッド

(14:15～14:30)

・東邦エンジニアリング株式会社　代表取締役社長　鈴木　辰俊　氏

【概要】経済産業省の支援を得て、大阪大学・山内教授らと開発している6インチ(150mm)のSiC基板の研磨装置に関する技術を紹介していただきました。